本文主要实现将FLASH中的代码搬运到RAM运行
我们的CH32V2/3系列MCU有几十K，几百K的非零等待FLASH，遇到FLASH不够用的情况实在可惜。主要以V307举例，针对零等待FLASH不够用的情况。
典型应用：
1.IAP占用了几K空间，搬到RAM后，可以让IAP所占零等待FLASH大幅降低，接近忽略
2.切换功能的代码，不会同时使用的分块的代码，切换的时间几十ms级别
实现思路：
1.将要搬到RAM里的代码在编译阶段用RAM地址编译，原因是code运行的时候，地址是绝对地址
LD文件中修改FLASH和RAM起始地址以及长度
此处需要注意的是RAM的起始地址+长度不能超过实际RAM的大小，否则会进Hardfault，因为堆栈是从RAM最后面往前的
这一步的必要条件是，编译的代码需要能在RAM里放的下，否则的话就需要在零等待的FLASH里放一部分
然后生成bin文件，之后放到非零等待的地址上烧到MCU里
2.编写 从FLASH搬到RAM的代码
这部分代码是放在零等待FLASH的，此处仅实现简单的搬运，没有条件判断等操作，所以选择直接修改启动文件里的handle_reset，不涉及C的部分，LD不需要改
handle_reset:
.option push
.option norelax
la gp, __global_pointer$
.option pop
1:
la sp, _eusrstack
2:
/* 把flash里的代码搬到RAM，这里只搬code，跳转到code后，code的代码会自己搬data*/
la a0, 0x08020000/*flash起始地址128K*/
la a1, 0x20000000/*RAM起始地址0K*/
la a2, 0x20005000/*RAM结束地址20K*/
bgeu a1, a2, 2f
1:
lw t0, (a0)
sw t0, (a1)
addi a0, a0, 4
addi a1, a1, 4
bltu a1, a2, 1b
2:
li t0, 0x1f
csrw 0xbc0, t0
la a0,0x20000000
jr 0(a0)/* 跳转到RAM中的起始地址 */
3.烧录
第1步要运行的主体的bin烧录地址是非零等待区0x20000，第2步搬运代码的地址是正常的零等待区地址0x0。合并后一起烧录，即可实现。
总结：
本文实现了最简单的从flash搬运到ram运行，汇编生成的代码大概是120字节，远远小于IAP的几K字节。
如果不用汇编搬运，进入C的世界也是可以的，还可以进行复杂的判断，选择不同功能代码搬运，不过这里要注意的是：进入了C的世界，堆栈会起作用，所以搬运的时候要注意预留搬运时的堆栈的RAM开销。C的世界里跳转 和 IAP跳APP一样，需要用软件中断。
这里的主要思想来源于堆栈的动态内存，利用代码可以在RAM运行，一样可以有动态的代码空间。
其它注意事项：
1.如果开启了读保护，FLASH前4K自动写保护，所以在用IAP的时候要注意，即使有空间了，也要注意前4KFLASH在读保护使能的情况下是无法擦写的。