晶体管 晶体 功率asemi
GBJ2510-ASEMI逆变器专用整流桥GBJ2510
编辑：ll GBJ2510-ASEMI逆变器专用整流桥GBJ2510 型号：GBJ2510 品牌：ASEMI 封装：GBJ-4 最大平均正向电流：25A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：4 产品内部芯片个数：4 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：＞ ......
KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010
编辑：ll KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010 型号：KBU1010 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：100 ......
MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC
编辑：ll MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC 型号：MURF10100AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：84MIL 峰值正向漏电流： ......
APT80DQ60BG-ASEMI大电流二极管APT80DQ60BG
编辑：ll APT80DQ60BG-ASEMI大电流二极管APT80DQ60BG 型号：APT80DQ60BG 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、快恢复二极管 最大平均正向电流：80A 最大重复峰值反向电压：600V 恢复时间：50ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：1. ......
MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT
编辑：ll MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT 型号：MUR8060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：80A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢 ......
MUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT
编辑：ll MUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT 型号：MUR6060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、快恢复二极管 最大平均正向电流：60A 最大重复峰值反向电压：600V 恢复时间：35ns 引脚数量：2 芯片个数：1 最大正向压降：1.05V ......
SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006
编辑：ll SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006 型号：SFP6006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：60A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：35 ......
SFP4006-ASEMI低功耗半导体二极管SFP4006
编辑：ll SFP4006-ASEMI低功耗半导体二极管SFP4006 型号：SFP4006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、快恢复二极管 最大平均正向电流：40A 最大重复峰值反向电压：600V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0.98V~1.90V ......
SFP3006-ASEMI大电流快恢复二极管SFP3006
编辑：ll SFP3006-ASEMI大电流快恢复二极管SFP3006 型号：SFP3006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：130MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间： ......
D92-02-ASEMI快恢复二极管20A 200V
编辑：ll D92-02-ASEMI快恢复二极管20A 200V 型号：D92-02 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、快恢复二极管 最大平均正向电流：20A 最大重复峰值反向电压：200V 恢复时间：35ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0.85V 芯片尺寸：120M ......
MBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT
编辑：ll MBR30300FCT-ASEMI高耐压肖特基MBR30300FCT 型号：MBR30200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：300V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：122MIL 峰值正向漏电流：< ......
MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT
编辑：ll MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT 型号：MBR30150FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
MBR30200FCT-ASEMI大电流肖特基MBR30200FCT
编辑：ll MBR30200FCT-ASEMI大电流肖特基MBR30200FCT 型号：MBR30200FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：200V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：122MIL 峰值正向漏电流：< ......
MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT
编辑：ll MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT 型号：MBR30100FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
模拟集成电路设计系列博客——4.2.3 饱和区晶体管跨导器
4.2.3 饱和区晶体管跨导器 总体上来说，基于饱和区晶体管的跨导器会比基于线性区晶体管的跨导器在线性度上差一些，但是基于饱和区的跨导器在速度上有一定的优势。由于饱和区晶体管依赖于MOS管的平方律模型，而这个模型并不是非常精确，尤其是在短沟道工艺下，导致其线性度一般。此外，只有输出电流之差是理想线性 ......
MBR60300PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60300PT
编辑：ll MBR60300PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60300PT 型号：MBR60300PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：60A 反向电压：300V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：150MIL 漏电流：<10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：500A 芯 ......
MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT
编辑：ll MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT 型号：MBR60150PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、肖特基二极管 正向电流：60A 反向耐压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 正向压降：0.70V~0.90V 芯片尺 ......
ICEE-Power-功率半导体: IGBT和SiC 栅极驱动器
https://view.inews.qq.com/k/20220217A01CMH00 IGBT 和 SiC 电源开关基础知识 IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？ 高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。 由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越 ......
ICEE-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的功率转换实例: 电磁加热
IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ 2021-03-04 15:17:34 浏览： 581 “ IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ ” 相信对电磁加热器稍有了解的朋友对IGBT模块都不会感觉陌生，在关于电磁加热器的优势介绍中，经常会说到电磁加热器的IGBT模块是进口自某国家的某个品牌，以 ......
模拟集成电路设计系列博客——4.2.2 线性区晶体管跨导器
4.2.2 线性区晶体管跨导器 本节我们将讨论使用工作在线性区的晶体管构成的跨导器。需要说明的是，在下面介绍的电路中，并不是所有的晶体管都处于先行区。一些晶体管被偏置在饱和区，但是电路的跨导由一到两个被偏置在线性区的关键晶体管来决定。 首先我们会议一下对于n管来说线性区的电流公式： \[I_D=\m ......
MBR60200PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60200PT
编辑：ll MBR60200PT-ASEMI大电流肖特基二极管MBR60200PT 型号：MBR60200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 正向电流：60A 反向电压：200V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：150MIL 漏电流：<10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：500A 芯 ......
MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT
编辑：ll MBR40200PT-ASEMI肖特基二极管MBR40200PT 型号：MBR40200PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、肖特基二极管 正向电流：40A 反向耐压：200V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 正向压降：0.70V~0.90V 芯片尺寸：1 ......
SBT30100VFCT-ASEMI肖特基二极管SBT30100VFCT
编辑：ll SBT30100VFCT-ASEMI肖特基二极管SBT30100VFCT 型号：SBT30100VFCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 正向电流：30A 反向电压：100V 引线数量：3 芯片个数：2 芯片尺寸：94MIL 漏电流：<10ua 恢复时间：5ns 浪涌电流：250 ......
MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT
编辑：ll MBR30100CT-ASEMI肖特基二极管MBR30100CT 型号：MBR30100CT 品牌：ASEMI 封装：TO-220 特性：插件、肖特基二极管 正向电流：30A 反向耐压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 正向压降：0.54V~0.92V 芯片尺寸：1 ......
【经验贴】做好这三点，有效提升项目的成功率
近期，大家都在做年度工作总结的准备了，在互相交流的时候，提到了一个值得思考的话题——“如何能提高项目的成功率？”。对于项目经理来说，都希望能找到一些通用的经验直接复制粘贴在自己的项目上，促进项目的成功，大家都纷纷发表了自己的见解。 虽然每个项目都具有一定的独特性，但大家都有自己的一些心得体验，经过整 ......
世微 大功率降压恒流IC LED车灯过EMC电源驱动 AP3266
产品描述 AP3266 是高效率、外围简单、内置功率管的同步降压恒流芯片，适用于4-40V输入的降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率可达 40W，最大电流3.6A。AP3266 可通过调节 OVP 端口的分压电阻，设定输出空载电压 保护，避免高压 空载上电瞬间烧坏LED灯。AP3266工作频率固定在 ......
TL10F-ASEMI智能插座专用TL10F
编辑：ll TL10F-ASEMI智能插座专用TL10F 型号：TL10F 品牌：ASEMI 封装：TLF-4 特性：贴片、整流桥 正向电流：1A 反向耐压：1000V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 浪涌电流：80A 漏电流：10ua 工作温度：-55℃ ......
S2MBF-ASEMI贴片整流二极管S2MBF
编辑：ll S2MBF-ASEMI贴片整流二极管S2MBF 型号：S2MBF 品牌：ASEMI 封装：SMBF 正向电流：2A 反向电压：1000V 引线数量：2 芯片个数：1 芯片尺寸：60MIL 漏电流：<5ua 恢复时间： 浪涌电流：100A 芯片材质： 正向电压：1.10V 工作结温：-65 ......
KBP308-ASEMI整流扁桥KBP308
编辑：ll KBP308-ASEMI整流扁桥KBP308 型号：KBP308 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 特性：插件、整流扁桥 正向电流：3A 反向耐压：800V 恢复时间：>2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 芯片尺寸：60MIL 浪涌电流：60A 漏电流：10ua 工作温度：-55 ......