晶体管 晶体 电磁 功率
UM2003A 一款200 ~ 960MHz ASK/OOK +18dBm 发射功率的单发射芯片
UM2003A 是一款工作于 200 ~ 960MHz 频段的单片集成、高性能、可独立运行的 OOK 发射器。内部集成的 OTP 方便用户对各种射频参数以及特色功能进行编程。该芯片以其高集成度和低功耗的设计，特别适用于低成本，低功耗，电池驱动的无线发射应用。UM2003A 的工作载波频率是由一个低噪 ......
CST—EMC（电磁兼容）仿真及分析工具
CST全称为Computer Simulation Technology，具备完备的3D全波电磁场仿真技术。CST Studio Suite（CST工作室套装）是CST的核心产品，是目前市场上准确、高效的3D EM仿真工具之一。而EMC仿真贯穿产品开发全周期，从PCB的电源完整性和信号完整性分析，到... ......
4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65
编辑：ll 4N65-ASEMI小功率N沟道MOS管4N65 型号：4N65 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 连续漏极电流(Id)：4A 漏源电压(Vdss)：650V 功率(Pd)：50W 芯片个数：2 引脚数量：3 类型：插件、高压MOS管 特性：N沟道MOS管、高压MOS管 导通内阻R ......
元器件经验分享-晶体与晶振对比分析
对于电子工程师而言，晶体和晶振是电路中不可或缺的关键元件，尤其在涉及到时钟信号和同步操作时。虽然两者在功能上有着相似之处，但在实际应用、电路设计以及布局布线等方面却存在着显著的区别。本文将详细对比晶体和晶振的属性、特点及应用场景，并为大家提供一些实用的布局和布线建议。 一、晶体与晶振的区别 对于许多 ......
海外的短信代理服务靠谱吗? 亲测成功率为0%
由于某些App的注册需要，因此需要一个海外手机进行短信注册，但是海外手机这事情确实不靠谱，搞不来，因此就考虑使用海外短信代理服务，于是使用了下面的俄罗斯网站： https://sms-activate.org/cn/freePrice#activation 最后的结果就是惨不忍睹呀，搞了一个小时，一 ......
世微AP3266过EMC检测 4-40V 3.6VA 大功率同步降压恒流芯片LED车灯电源驱动线路图
产品描述 AP3266 是一款简单、内置功率管的同步降压恒流芯片，适用于4-40V输入的降压LED恒流驱动芯片。输出功率可达 40W，电流3.6A。AP3266 可通过调节 OVP 端口的分压电阻，设定输出空载电压 保护，避免高压 空载上电瞬间烧坏LED灯。AP3266工作频率固定在 130KHZ， ......
【技术探讨】无线通信中如何排查电磁波干扰？
很多客户反映无线电通信中的电磁波干扰，看不见，摸不到，也无法呈现，有时会碰到这样的问题：同一组设备、在相同的环境中，有的时间段无线通信很好，有的时间段突然无线通信的信号质量严重下降，这个是怎么回事？ 由于目前市面上的无线电通信设备种类很多，WiFi，ZigBee，LoRa，对讲机，无线电台等等，电磁 ......
模拟集成电路设计系列博客—— 4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器
4.3.3 四晶体管MOSFET-C积分器 一种改进MOSFET-C滤波器线性度的方式是使用四晶体管MOSFET-C积分器，如下图所示[Czarnul,1986]： 对于这个四晶体管积分器的小信号分析，可以将单输入积分器处理成有着\((v_{pi}-v_{ni})\)和反相信号\((v_{ni}-v ......
模拟集成电路设计系列博客——4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器
4.3.2 双晶体管MOSFET-C积分器 MOSFET-C滤波器类似于全差分有源RC滤波器，除了电阻被等效的线性区MOS晶体管所取代。由于有源RC和MOSFET-C滤波器紧密关联，对于设计者来说，一个好处就是可以大量使用在有源RC滤波器上的已有知识。本小节我们讨论双晶体管MOSFET-C积分器。 ......
GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808
编辑：ll GBU808-ASEMI功率整流器件GBU808 型号：GBU808 品牌：ASEMI 封装：GBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：8A 最大重复峰值反向电压：800V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：95MIL 浪涌 ......
KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307
编辑：ll KBP307-ASEMI功率整流器件KBP307 型号：KBP307 品牌：ASEMI 封装：KBP-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：3A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.10V 芯片尺寸：60MIL 浪 ......
KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610
编辑：ll KBU610-ASEMI功率整流器件KBU610 型号：KBU610 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：6A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：88MIL 浪 ......
KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010
编辑：ll KBU1010-ASEMI功率整流器件KBU1010 型号：KBU1010 品牌：ASEMI 封装：KBU-4 特性：插件、整流桥 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 恢复时间：＞2000ns 引脚数量：4 芯片个数：4 最大正向压降：1.05V 芯片尺寸：100 ......
MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC
编辑：ll MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC 型号：MURF10100AC 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大平均正向电流：10A 最大重复峰值反向电压：1000V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：84MIL 峰值正向漏电流： ......
MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT
编辑：ll MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT 型号：MUR8060PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：80A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢 ......
SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006
编辑：ll SFP6006-ASEMI新能源功率器件SFP6006 型号：SFP6006 品牌：ASEMI 封装：TO-247 最大平均正向电流：60A 最大重复峰值反向电压：600V 产品引线数量：3 产品内部芯片个数：2 产品内部芯片尺寸：140MIL 峰值正向漏电流：<10ua 恢复时间：35 ......
MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT
编辑：ll MBR30150FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30150FCT 型号：MBR30150FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT
编辑：ll MBR30100FCT-ASEMI大功率肖特基MBR30100FCT 型号：MBR30100FCT 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 特性：插件、肖特基二极管 最大平均正向电流：30A 最大重复峰值反向电压：100V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 最大正向压降：0. ......
模拟集成电路设计系列博客——4.2.3 饱和区晶体管跨导器
4.2.3 饱和区晶体管跨导器 总体上来说，基于饱和区晶体管的跨导器会比基于线性区晶体管的跨导器在线性度上差一些，但是基于饱和区的跨导器在速度上有一定的优势。由于饱和区晶体管依赖于MOS管的平方律模型，而这个模型并不是非常精确，尤其是在短沟道工艺下，导致其线性度一般。此外，只有输出电流之差是理想线性 ......
MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT
编辑：ll MBR60150PT-ASEMI大功率肖特基二极管MBR60150PT 型号：MBR60150PT 品牌：ASEMI 封装：TO-247 特性：插件、肖特基二极管 正向电流：60A 反向耐压：150V 恢复时间：5ns 引脚数量：3 芯片个数：2 正向压降：0.70V~0.90V 芯片尺 ......
电磁波光谱、激光雷达和毫米波雷达
本文摘自： 光谱（光学频谱）分布图及波长_光谱波长全谱图-CSDN博客 谈谈激光雷达的波长 - 知乎 (zhihu.com) 自动驾驶汽车传感器技术解析—毫米波雷达 - 知乎 (zhihu.com) 自动驾驶汽车传感器技术解析——激光雷达 - 知乎 (zhihu.com) 电磁波与光谱 电磁波是以波 ......
ICEE-Power-功率半导体: IGBT和SiC 栅极驱动器
https://view.inews.qq.com/k/20220217A01CMH00 IGBT 和 SiC 电源开关基础知识 IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？ 高效的电源转换在很大程度上由系统使用的功率半导体器件确定。 由于功率器件技术不断改进，大功率应用的效率越来越高并且尺寸越 ......
ICEE-IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的功率转换实例: 电磁加热
IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ 2021-03-04 15:17:34 浏览： 581 “ IGBT是什么？对电磁加热器意味着什么？ ” 相信对电磁加热器稍有了解的朋友对IGBT模块都不会感觉陌生，在关于电磁加热器的优势介绍中，经常会说到电磁加热器的IGBT模块是进口自某国家的某个品牌，以 ......
模拟集成电路设计系列博客——4.2.2 线性区晶体管跨导器
4.2.2 线性区晶体管跨导器 本节我们将讨论使用工作在线性区的晶体管构成的跨导器。需要说明的是，在下面介绍的电路中，并不是所有的晶体管都处于先行区。一些晶体管被偏置在饱和区，但是电路的跨导由一到两个被偏置在线性区的关键晶体管来决定。 首先我们会议一下对于n管来说线性区的电流公式： \[I_D=\m ......
电磁炉的工作原理？
电磁炉的工作原理？ 把一根钢丝通电后会有一个很小的磁场，小到连钉子都吸不住。 把它卷成一圈就有环绕的一圈小磁场，在多卷成几圈，磁场的大小是电压的大小决定的。 切换电池的正负改变，就是改变磁场的南北极。 把一个铁棒放入当中，铁棒里的小电子会跟磁场的的南北极来转换。 如果很快的反转它，就会发出热量。 利 ......
【经验贴】做好这三点，有效提升项目的成功率
近期，大家都在做年度工作总结的准备了，在互相交流的时候，提到了一个值得思考的话题——“如何能提高项目的成功率？”。对于项目经理来说，都希望能找到一些通用的经验直接复制粘贴在自己的项目上，促进项目的成功，大家都纷纷发表了自己的见解。 虽然每个项目都具有一定的独特性，但大家都有自己的一些心得体验，经过整 ......
世微 大功率降压恒流IC LED车灯过EMC电源驱动 AP3266
产品描述 AP3266 是高效率、外围简单、内置功率管的同步降压恒流芯片，适用于4-40V输入的降压LED恒流驱动芯片。输出最大功率可达 40W，最大电流3.6A。AP3266 可通过调节 OVP 端口的分压电阻，设定输出空载电压 保护，避免高压 空载上电瞬间烧坏LED灯。AP3266工作频率固定在 ......
ICEE-将SiC/GaS功率MOSFET与应用电路集成封装的IC系列
BM2SCQ124T-LBZ@ROHM 内置1700V SiC-MOSFET的准谐振AC/DC转换器 BM2SCQ124T-LBZ是一款准谐振AC/DC转换器，为所有带插座的设备提供很好的电源系统。采用准谐振工作方式，实现软开关，有助于降低EMI。内置1700V/4A SiC MOSFET，有助于设 ......
世微 舞台灯车灯深度调光大功率 降压恒流驱动IC APS54083
产品描述 APS54083 是一款 PWM 工作模式,高效率、外围简单、外置功率 MOS 管，适用于 5-220V 输入高精度降压 LED 恒流驱动芯片。输出最大功率150W最大电流 6A。APS54083 可实现线性调光和 PWM 调光，线性调光脚有效电压范围 0.5-2.5V.PWM 调光频率范 ......