EMMC器件寿命
1）先确认EMMC器件NAND
FLASH类型，是MLC还是TLC,一般是TLC，器件手册标称1000-3000次，取平均值2000次作为评估；
2）在OS下查看EMMC器件当前使用寿命状态；（安卓）
3）EMMC寿命对照表；
4）EMMC扫盲贴：
https://blog.csdn.net/toradexsh/article/details/100977083
6）EMMC单cell读写2000次后寿命损耗，属器件物理特性，特斯拉解决也只是8G升级为64G，靠大空间，靠均衡延长使用寿命；
7）设备取消非必要日志，减少高密读写，定期出发寿命判断脚本，在交互界面给客户提示设备损耗物料寿命状态，关键场景使用CPLD+nor flash
eMMC寿命主要由以下几个因素决定：
P/E周期（擦除/编程次数）：这是eMMC芯片的一个重要参数，指的是每个存储单元可以被擦除并重新编程的次数。一般来说，P/E周期越高，eMMC的寿命就越长。
磨损均衡技术：为了延长Flash存储的寿命，一般都会使用一种称为“磨损均衡”（Wear Leveling）的技术，通过在所有的物理块之间均匀分配写入操作，从而避免某些块过早失效。
使用环境：工作环境温度、湿度以及操作电压等因素都会对eMMC的寿命产生影响。
写入数据的量和频率：这是影响eMMC寿命的一个重要因素。如果大量且频繁地写入数据，则eMMC可能会较快地达到它的P/E周期上限。
选用的Flash存储类型：不同类型的Flash存储(e.g., SLC, MLC, TLC, QLC)具有不同的P/E周期，因此会影响eMMC的寿命。
厂商的质量控制：储存器的质量和可靠性也对其寿命有影响，厂商的生产工艺和质量控制能力会影响eMMC的寿命。
因此，大体来讲，eMMC的寿命并不是一个简单易测的参数，它涉及到多个复杂的工程问题和设计考量。