晶体管的本征增益\(g_{m} r_{0}\)
可以理解为负载为无穷大时的增益，即由MOS本身参数生成的增益，比如简单共源极情况下，本征增益大小为 \(g_{m} r_{0}\)，\(g_{m} r_{0}\)为MOS本身的等效电阻。
晶体管的本征增益为\(g_{m} r_{0}\)，其中 \(g_{ds}\)又可以写为 \(r_0\)，表示沟道长度调制引入的等效电阻，其大小表示为 $r_{0}=\frac{1}{{\lambda}I_{d}} $ ，其中 $\lambda=\frac{\alpha}{L} $ 。如果想增大一个晶体管的本征增益而不改变其静态电流，同时增大其W与L但保持(W/L)不变即可，原因即是增大L同时增大了 \(r_0\)，引起更大的增益。一只晶体管的宽度W与增益无关，可以认为仅与静态电流的大小有关。